Đầu dò siêu âm chủ yếu được chia thành: đầu dò thẳng, đầu dò xiên, với đầu dò độ cong, đầu dò tập trung, đầu dò sóng bề mặt, đầu dò ngâm nước, đầu dò tinh thể kép, đo độ dày, đầu dò nhiệt độ cao, v.v. Đầu dò monowafer để phát hiện khuyết tật theo chiều dọc, siêu âm được tạo ra bởi đầu dò thẳng là một chùm âm thanh dọc vuông góc với bề mặt đầu dò.

Đầu dò siêu âm tách E+H Dòng FDUNguyên tắc hoạt động

Đầu dò siêu âm tách E+H Dòng FDUVật liệu chính của đầu dò siêu âm có hai loại tinh thể áp điện (electro-telescoping) và hợp kim niken-sắt-nhôm (telescoping). Vật liệu điện tử có chì zirconi titanate (PZT), v.v. Cảm biến siêu âm bao gồm Piezo Crystal là một loại cảm biến có thể đảo ngược, nó có thể chuyển đổi năng lượng điện thành dao động cơ học để tạo ra sóng siêu âm, đồng thời khi nó nhận được sóng siêu âm, nó cũng có thể chuyển đổi thành năng lượng điện, vì vậy nó có thể được chia thành máy phát hoặc máy thu. Một số cảm biến siêu âm có thể được gửi và nhận.

Đầu dò siêu âm tách E+H Dòng FDUThông số kỹ thuật

1. hằng số áp điện d33:

d33=Dt/U thêm ứng suất lớn như U vào wafer áp điện, lượng thay đổi Dt xảy ra trên wafer áp điện, d33 càng lớn thì độ nhạy phát xạ càng cao.

2. hằng số điện áp áp g33:

g33=UP/P Áp lực lớn như P trên chip áp điện. Tạo ra điện áp lớn như UP trên chip áp điện, g33 càng lớn thì độ nhạy nhận càng cao.

3. Hằng số điện môi e:

e=Ct/A [C-tụ điện, khoảng cách t-tấm (độ dày wafer), diện tích tấm A (diện tích wafer)];

C. Thời gian sạc và xả ngắn. Tần số cao.

4. Hệ số khớp nối cơ điện K:

Biểu thị hiệu quả chuyển đổi giữa năng lượng cơ học (năng lượng âm thanh) và năng lượng điện của vật liệu áp điện.

Đối với hiệu ứng áp điện dương: K=năng lượng điện được chuyển đổi/năng lượng cơ học đầu vào.

Đối với hiệu ứng áp điện ngược: K=năng lượng cơ học chuyển đổi/năng lượng điện đầu vào.

Khi wafer rung, biến dạng kính thiên văn đồng thời theo cả hai hướng độ dày và hướng tâm, biến dạng hướng độ dày lớn, độ nhạy phát hiện cao, biến dạng hướng tâm lớn, nhiều lộn xộn, giảm độ phân giải, tăng vùng mù, mở rộng xung phát xạ. (Phụ lục giảng nghĩa 16, 19 câu trả lời).

Tốc độ âm thanh: 324.0 M/S Độ dày phôi: 16.00MM Tần số đầu dò: 2.500MC

Đầu dò Giá trị K: 1,96 Đầu dò: 7,00MM Kiểu vát: X

Góc vát: 60,00 Chiều rộng cặp hàn: 2,00MM Bù: -02 dB

Xử lý chất thải:+05dB Định lượng: -03dB Đánh giá: -09 dB

Số lỗ hàn: 0000 Số lỗ hổng: 1. Kiểm tra ngày: 05.03.09

Tốc độ âm thanh: 324,0 M/S Độ dày phôi: 16,00 MM Tần số đầu dò: 5,00 MC

Đầu dò Giá trị K: 1,95 Đầu dò: 7,00 MM Kiểu vát: X

Góc vát: 60,00 Chiều rộng cặp hàn: 2,00 MM Bù: -02 dB

Xử lý chất thải:+05 dB Định lượng: -03 dB Đánh giá: -09 dB

Số lỗ hàn: 0000 Số lỗ hổng: 1. Kiểm tra ngày: 05.03.09

5. Yếu tố chất lượng cơ học qm:

qm=E-Reserve/E Loss, khi cộng hưởng wafer áp điện, tỷ lệ năng lượng cơ học được lưu trữ với năng lượng bị mất trong một chu kỳ (biến dạng, phục hồi)... Sự mất mát chủ yếu là do ma sát trong phân tử.

qm lớn, tổn thất nhỏ, thời gian rung dài, độ rộng xung lớn và độ phân giải thấp.

qm nhỏ, tổn thất lớn, thời gian rung ngắn, chiều rộng xung nhỏ và độ phân giải cao.

6. Hằng số tần số Nt:

Nt=tf0, Sản phẩm của độ dày wafer áp điện với tần số vốn có là một hằng số, vật liệu wafer nhất định, độ dày càng nhỏ, tần số càng cao. (Phụ lục giảng nghĩa 16, 19 câu trả lời).

7. Nhiệt độ Curie Tc:

Hiệu ứng áp điện của vật liệu áp điện, chỉ có thể được tạo ra trong một phạm vi nhiệt độ nhất định, vượt quá nhiệt độ nhất định, hiệu ứng áp điện sẽ biến mất, do đó hiệu ứng áp điện biến mất nhiệt độ được gọi là nhiệt độ Curie (chủ yếu là ảnh hưởng nhiệt độ cao).

8. Một chỉ số quan trọng khác của đầu dò siêu âm: tỷ lệ tín hiệu tiếng ồn --- tỷ lệ tín hiệu hữu ích so với tín hiệu vô dụng phải lớn hơn 18 dB.

​Đầu dò siêu âm tách E+H Dòng FDUĐộ chính xác tốt hơn, sử dụng và cài đặt dễ dàng hơn。Công ty chúng tôi vì thuận tiện cho người sử dụng quanh năm chuẩn bị tồn kho của họ, ưu thế giá cả rõ ràng thời gian hàng ngắn, trước 4 giờ cùng ngày đều có thể gửi hàng. Nếu bạn cần có thể gọi điện thoại nói chuyện chi tiết. Chúng tôi sẽ phục vụ bạn tốt nhất